> Ученые из США и Японии создают оперативную память будущего - Аргументы Недели

//Хайтек

Ученые из США и Японии создают оперативную память будущего

25 ноября 2013, 11:33 [ «Аргументы Недели» ]

Фото: Артем Геодакян

Ученые из США и Япония создают принципиально новую оперативную память для электронных устройств следующего поколения. Снижение энергопотребления и миниатюризация сделают ее идеальным компонентом для гаджетов будущего.

В альянс, работающий над созданием нового типа "оперативки", входят 20 компаний, которые обещают заменить динамическую память с произвольным доступом (DRAM), которую можно найти в любом современном смартфоне или ПК на так называемую MRAM (Магниторезистивную память с произвольным доступом, которая хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов).

Такая схема позволяет добиться десятикратного ускорения работы при десятикратном увеличении объема хранимых данных.

Ученые обещают, что к 2018 году MRAM начнут выпускать в коммерческих объемах, передают "Вести".

ТА


Обсудить наши публикации можно на страничках «АН» в Facebook и ВКонтакте