Ученые из США и Япония создают принципиально новую оперативную память для электронных устройств следующего поколения. Снижение энергопотребления и миниатюризация сделают ее идеальным компонентом для гаджетов будущего.
В альянс, работающий над созданием нового типа "оперативки", входят 20 компаний, которые обещают заменить динамическую память с произвольным доступом (DRAM), которую можно найти в любом современном смартфоне или ПК на так называемую MRAM (Магниторезистивную память с произвольным доступом, которая хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов).
Такая схема позволяет добиться десятикратного ускорения работы при десятикратном увеличении объема хранимых данных.
Ученые обещают, что к 2018 году MRAM начнут выпускать в коммерческих объемах, передают "Вести".